超高真空磁控溅射外延系统

超高真空磁控溅射外延系统

主要配置：

超高真空磁控溅射外延系统，极限真空度可达到5 x 10^-9 mbar, 是磁学，铁电，超导领域必备镀膜制备系统。

珀菲特超高真空磁控溅射系统有以下主要特点：

◉ 全金属密封，系统没有一个胶圈，确保系统漏气率在2 x 10^-11 mbar*m³/s

◉ 2 英寸优化设计平面磁控溅射靶枪，全自主开发制造，优化水冷和独立局域供气

◉ 支持离轴磁控溅射

◉ 支持多靶枪共溅射

◉ 支持低气压工作：可低至 5 x 10^-4 mbar

◉ 靶枪可设计倾斜角度真空外可调

◉ 电阻式/辐射式/激光加热式样品台，可支持最高 800 ~ 1400 度加热

◉ 加热器可耐氧压，适合做多元氧化物薄膜，氮化物薄膜

◉ 样品台可设计独立供气，Plasma辅助沉积

◉ 可用于高纯度氧化物单晶外延，也可用于高纯度单质薄膜沉积

◉ 支持RF Plasma离子源辅助反应沉积

◉ 配备紧凑Load-lock系统，快速传送样品

◉ 支持差分RHEED原位监控

超高真空磁控溅射靶枪

◉ 2/3/4英寸超高真空磁控溅射靶枪

◉ 全金属密封，超高真空兼容

◉ 独立中心供气，气场在靶面均匀分布，无梯度

◉ 支持最厚6 mm靶材沉积，磁性材料Fe支持最厚2 mm

◉ 水冷接触优化设计

◉ 支持真空状态溅射角度调整

辐射式样品台
◉ 2/4/6英寸多功能样品台

◉ 5-30 rpm旋转

◉ 独立自动挡板

◉ 最高加热到800℃，抗氧压加热器设计

◉ 水冷热屏蔽优化

◉ 独立供气，可加装射频偏压

红外激光加热样品台

◉ 样品区域： 最大1英寸；

◉ 激光器：980 nm固体红外激光器，光纤导入；

◉ 最高加热温度：1400°C；

◉ SiC夹层K-type热电偶或者光学红外测温；

◉ XYZ三维位置可调；

电阻式加热样品台

◉ 样品区域： 最大2英寸/15 x 18 mm方形区域（适用于旗型样品托）；

◉ 最高加热温度：1000°C；

◉ 加热器可整体插拔传送；

◉ XYZ三维位置可调；

◉ K-type热电偶测温；

TorrRHEED

◉ 电子枪能量：30 keV；

◉ 荧光屏：CF100/CF150；

◉ 高压工作差分抽气系统，一级差分/两级差分；

◉ 原位生长振荡周期，晶格衍射图谱测量；

磁控溅射工艺气路

◉ 全金属密封质量流量计；

◉ 分子泵旁抽/闸板阀限制抽速，流量计PID控压，或碟阀控压；

◉ Ar/N₂/O₂多种气体混合方式可选；

◉ 支持静态/动态退火工艺

射频离子源辅助

◉ 全金属密封，射频离子源；

◉ 溅射气压工作，10^-4 mbar；

◉ Ar/N₂/O₂多种气体兼容；

◉ 支持反应溅射和辅助沉积；

快速进样腔 (Load-lock)

◉ 球型或圆柱型腔体，极限真空可达到10^-7mbar；

◉ 腔体法兰包括：主抽气口，真空计，观察窗，传送杆，快开门等；

◉ 可选配样品存储架，RF Plasma清洁，工艺进气；

◉ 支持样品台/靶台/靶托/样品托传送；