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微波等离子体化学气相沉积设备（MPCVD）
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MPCVD方法制备金刚石材料的主要优势在于：一、无内部电极，可避免电极引起的污染；二、微波等离子体的工作参数较易控制，微波功率可连续调节，因此生长速率、衬底温度等工艺参数可以较为稳定地控制，有利于生长高质量材料；三、工作气压宽，等离子体密度高，能量转化率高。 本单位目前提供圆柱腔、碟形腔等多种型号的MPCVD设备，广泛应用于半导体级、光学级、宝石级等各类金刚石单晶和多晶的生长。 l 碟型双层水冷不锈钢腔体或圆柱形腔体，可实现高质量金刚石材料的生长 l 电动升降腔体上盖（碟型腔），具有精确的定位精度 l 极限真空度高（碟形腔≤2×10-7 Torr、圆柱腔≤1×10-8 Torr），适合高纯度金刚石生长 l 控压精度高（≤ ±0.1 Torr），确保生长工艺过程的稳定 l 最多8路工艺气体，提供最大的工艺气体选择灵活性 l 全自动三销钉调配器，无须手动调整 l 可选衬底偏压功能，有利于提高金刚石单晶质量或实现偏压成核 l 可选多种实时监测手段：样品表面红外测温、样品托背部热偶测温、等离子体发射光谱等 l 适合国人身高的设计，操作和观察方便 l 完善的控制系统和软件。精确的工艺参数控制，具有界面手动参数设置、程序自动运行、工艺参数实时显示和存储、设备状态实时监控和报警、操作和报警实时显示和存储等功能。 |
