桂林电子科技大学-双腔体脉冲激光沉积系统

2021年12月9日-13日，我司在桂林电子科技大学信息与通信学院顺利安装完成1套双腔室脉冲激光沉积系统，并顺利通过了学校验收，系统型号：FPLD-C40。

其中样品台采用 1 英寸辐射式加热器，最高加热温度为1000°C，高温温度稳定性顺利实现+/-0.1 °C控制精度；靶材台包含 6 个 1 英寸靶位，靶材台采用旋盖压紧式固定，无需胶粘无需螺丝固定，安装方便，每个靶托都可以单独取放。

客户计划利用该系统在GaAs等半导体衬底或云母柔性衬底上生长铁磁性或铁电性薄膜，以及在蓝宝石衬底上生长带有掺杂的氧化镓薄膜材料。